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元件参数资料
>
参数目录40379
> DMN2004VK-7 MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563
型号:
DMN2004VK-7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
DMN2004VK-7 PDF
产品变化通告
Bond Wire Change 11/Nov/2011
其它图纸
SOT-563 Package Top
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
540mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
150pF @ 16V
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商设备封装
SOT-563
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DMN2004VKDITR
查看DMN2004VK-7代理商
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