型号:

DMN2004VK-7

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
DMN2004VK-7 PDF
产品变化通告 Bond Wire Change 11/Nov/2011
其它图纸 SOT-563 Package Top
标准包装 3,000
系列 -
FET 型 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 540mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 550 毫欧 @ 540mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 150pF @ 16V
功率 - 最大 250mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商设备封装 SOT-563
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DMN2004VKDITR
相关参数
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